TinySwitchII系列第二代微型单片开关电源的原理
TinySwitchII系列是美国pI（powerIntegrations）公司继TinySwitch之后，于2001年三月新推出的第二代增强型隔离式微型单片开关电源集成电路。该系列产品包括TNY264p／G、TNY266p／G～TNY268p／G，共8种型号。它特别适合制作高效率、低成本、微型化的小功率开关电源，例如手机电池充电器、pC机待机电源、彩色电视机待机电源、交流电源适配器、电机控制器以及ISDN或DSL网络终端，是体积大、效率低的线性稳压电源理想的替代品。
1TinySwitchII系列的产品分类及性能特点
1.1产品分类
产品分类见表1
表1TinySwitchII系列产品的分类及最大持续输出功率pOM
1.2性能特点
与第一代产品TinySwitch（TNY253～TNY255）相比，它除了保留结构简单、使用方便等优点之外，还具有以下显著特点：
（1）在新增输出功率的同时，降低了芯片的功耗，使电源效率得到进一步提高。当交流输入电压达到最大值265V，空载时芯片的功耗一般低于50mW。TinySwitch系列产品的最大输出功率为10W（TNY255p／G型），TinySwitchII系列产品则提高到23W（TNY268p／G型）。开关频率也从44kHz提高到132kHz，这不仅能提高电源转换效率，还允许使用低价格、小尺寸的EE13或EF12.6型磁芯，减小高频变压器的体积。
（2）新增了自动重启动计数器、极限电流状态机
和输入欠压检测电路。利用一只检测电阻来设定输入电压的欠压阈值，消除了在待机电源等应用中因输入滤波电容缓慢放电而引起的电源掉电故障。一旦发生输出短路、控制环开路或者掉电故障，均能保护芯片不受损坏。
表2TinySwitchII与TinySwich的性能比较
图1TinySwitchII的引脚排列
（3）将TinySwitch的使能端（EN）改为双功能引出
端“使能／欠压端”（EN／UV）。正常工作时由此端控制内部功率MOSFET的通断，该端还可用于输入欠压检测信号。另外，在旁路端（Bp）内部还新增了6.3V的钳位保护电路。
（4）新新增了开关频率抖动（frequencyjittering）
功能，能滤除浸过清漆的普通高频变压器出现的音频噪声，并防止电源的开关噪声，还能快速上电而无过冲现象。TinySwitchII的开／关控制器的调节速度比一般的脉宽调制器（pWM）更快，对纹波的抑制能力更佳。
（5）功率MOSFET漏极的极限电流ILIMIT的容
许偏差小。例如TNY264p／G的容许偏差仅为250±17mA，相对偏差减小到（±17／250）％=±6.8％；而TNY254p／G的容差为255±25mA，相对偏差达（±25／255）％=±9.8％。这表明，用TNY264p／G代替TNY254p／G来设计开关电源时，由于TNY264p／G不要留出过多的极限电流余量，因此在相同输入功率／输出电压的条件下，输出功率要高于TNY254p／G，并且能降低外围元件的成本。
1.3TinySwitchII与TinySwich的性能比较
TinySwitchII与TinySwich系列产品的性能比较见表2。
2TinySwitchII系列的工作原理
2.1管脚功能
TinySwitchII系列产品的引脚排列如图1所示，它采用双列直插式封装（DIp8B）或表面贴片式封装（SMD8B），但实际引出端只有7个。由于第6脚未引出，从而新增了漏极与源极的安全距离。考虑到它有4个源极端S，故等效于四端器件。4个源极被划分成两组：两个S端需接控制电路的公共端，两个S（HVRTN）端则接高压返回端，它们都与内部MOSFET的源极连通。D为内部功率MOSFET的漏极引出端，为启动和稳定工作供应了内部工作电流。Bp为旁路端，接外部0.1μF的旁路电容。正常工作时，由EN/UV端来控制内部功率MOSFET的通断。超载时，从EN/UV端流出的电流大于240μA，强迫功率MOSEFT关断。若该端经一只2MΩ电阻接输入直流高压UI，即可对UI进行欠压检测，不接电阻时无此项功能。
图2TinySwitchII的功能框图
图3频率抖动的波形
2.2工作原理
TinySwitchII内部集成了一个耐压为700V的功率MOSFET和一个开／关控制器。与传统的pWM控制器不同，它采用一个简单的开/关控制器来调节输出电压。其功能框图如图2所示。重要包括振荡器，5.8V稳压器，旁路端钳位用的6.3V稳压管，使能检测与逻辑电路，极限电流状态机，欠压、过流及过热保护电路，自动重启动计数器。此外，EN／UV的内部电路中还新增了一个源极跟随器。由图2可见，能够控制MOSFET关断的电路有以下几种：Bp端欠压比较器，过流比较器，过热保护电路，前沿闭锁电路，最大占空比信号Dmax，EN／UV控制端。它们之间呈“逻辑或”的关系，任何一路均可单独将MOSFET关断。
TinySwitchII一般工作在极限电流的模式下。启动时，在每个时钟周期开始时刻，TinySwitchII对EN／UV端进行取样，再根据取样结果来决定是否跳过周期以及跳过多少个周期，同时确定适当的极限电流阈值。当漏极电流ID逐渐升高并达到ILIMIT值或者占空比达到最大值Dmax时，使MOSFET关断。满载时TinySwitchII在大部分周期内导通；中等负载时则要跳过一部分周期并开始降低ILIMIT值，以维持输出电压稳定。轻载或空载时，则几乎要跳过所有周期，并且进一步降低ILIMIT值，使功率MOSFET仅在很少时间内导通，以维持电源正常工作所必须的能量。
EN／UV端一般由光耦合器驱动。光耦合器中接收管的集电极连到EN／UV端，发射极则接源极。光耦合器与稳压管串联在稳压输出端，输出电压UO就等于光耦合器内部发光二极管（LED）正向压降UF与稳压管稳定电压UZ之和。当UO↑时，LED开始导通，将EN／UV脚电压置成低电平，使功率MOSEFT关断，通过减小占空比来使UO↓，最终达到稳压目的。为改善稳压性能，亦可用可调式精密并联稳压器TL431来代替普通的稳压管。
下面就TinySwitchⅡ的内部电路中的几个重要功能电路作一介绍：
（1）振荡器
振荡器的频率均设置为132kHz。它能出现决定每个周期起始时间的时钟信号（CLOCK）和最大占空比信号（Dmax）。该振荡器还新增了频率抖动电路，开关频率的抖动范围是128kHz～136kHz，抖动量为±4kHz。频率抖动波形如图3所示。利用此功能可显著减小噪声干扰，并且噪声谐波次数愈高，抑制用途愈明显。例如对5次谐波噪声平均值的衰减量可达10dB以上。
（2）使能电路与极限电流状态机
EN／UV端的使能电路中有一个设定值为1.0V的低阻抗源极跟随器，其输出电流的阈值为240μA。当该端输出电流超过240μA时，使能电路就输出低电平（禁止）。在时钟信号的上升沿对输出取样，若为高电平，则本周期接通功率MOSFET；若为低电平，在大多数情况下，就使功率MOSFET关断。但在接近于最大负载时，即便使能电路不起用途，功率MOSFET在此周期内仍然导通，只是极限电流要降到规定值的50％。因为取样仅在每个周期开始时进行一次，所以在此周期内EN／UV端上其它电流或电压的变化均可忽略不计。轻载时，极限电流状态机用离散的数字量来减小ILIMIT值，使TinySwitchII在音频范围内起到开关用途。从而降低了高频变压器出现的音频噪音。
图4接欠压保护电阻后的自动重启动波形
图5接欠压保护电阻后慢关断的时序波形
（3）5.8V稳压器和6.3V并联式电压钳位器
当MOSFET关断时，5.8V稳压器通过漏极电压的电流将旁路端外接电容CBp充电到5.8V。当MOSFET导通时，TinySwitchII就消耗存储在CBp中的能量。TinySwitchII内部电路的功耗极低，使其能利用漏极电流持续工作。选择0.1μF的旁路电容即可实现高频去耦及能量的存储。此外，外部电阻还向Bp端供应电流，当Bp端达到6.3V的钳位电压时，就关闭5.8V稳压器，以降低芯片的空载损耗。
（4）极限电流检测电路
TinySwitchII的极限电流参数值见表3。极限电流检测电路用来检测功率MOSFET的漏极电流ID是否达到极限值。在每个开关周期内，当ID达到ILIMIT时功率MOSFET就在此周期的剩余时间内关断。
表3TinySwitchⅡ的极限电流单位：（mA）
在EN／UV端与直流高压端UI之间接一只欠压保护电阻，即可监测UI值是否欠压。当UI低于设定值时，欠压检测电路就将旁路端电压UBp从正常值（5.8V）降至4.8V，强迫功率MOSFET关断，起到保护用途。
（6）自动重启动
一旦发生输出过载、输出短路或开路故障时，TinySwitchII能自动重启动，直至排除故障后转入正常工作状态。自动重启动频率为1.2Hz。图4示出接上欠压保护电阻后，当输出端短路时的自动重启动电路波形，在每个开关周期内禁止功率MOSFET工作的时间将超过850ms。一旦欠压故障被排除掉，芯片又恢复正常工作。
TinySwitchII用做待机电源时，可在EN／UV端接上2MΩ欠压保护电阻，使待机电源具有慢关断特性，时序波形分别如图5所示。其特点是当UI降至0V时，漏极电压UD要经过一段时间才缓慢降至0V。不接欠压保护电阻时，UD和UI是同时降到0V的。
