太阳能部分多晶硅材料小知识及技术要求
A、太阳能级多晶硅料
技术要求：
总体要求：硅含量99.9999%
含硼量：<0.20ppba
含磷量：<0.90ppba
含碳量：<1.00ppba
金属含量：<30.00ppba
金属表面含量：<30.00ppba
尺寸大小要求：25mm---250mm
多晶种类：p型
电阻率：>0.50Ohmcm
B、破碎半导体级硅片
技术要求：
半导体级碎硅片
片子形状为圆弧形碎片
硅片厚度>=400um
型号为p型
电阻率：>0.50Ohmcm
C、小多晶硅
技术要求
1.型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于5*1017/cm3
2.块状为4mm
3.不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料
D、直拉多晶硅
技术要求
1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为p型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017cm3
2.块状小于30mm
3.不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料
E、区熔头尾料
技术要求
1.N型，电阻率大于50chmom少数载流子寿命大于100μm
2.块状大于30mm
3.区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。
4.最好为免洗料
F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料
1.N型，电阻率大于10ohmom
2.p型，电阻率大于0.5ohmom
3.块状大于30mm，片厚大于0.5mm
4.直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物
