英特尔推新芯片,超级本电池续航能力将长一倍

2012-09-13      1137 次浏览

英特尔架构事业部总经理浦大地近日透露,英特尔明年推出的超级本新品将换上新的Haswell芯片。由于这种芯片耗电更低,可使超级本内置电池实现续航时间提高一倍,由原来的6小时提高到12小时以上。
    英特尔超级本目前使用的芯片处理器代号为“Ivy Bridge”,该处理器耗电量为17瓦。而英特尔即将推出的Haswell芯片耗电量不到10瓦,但是性能却与“Ivy Bridge”相当。浦大地称,新的芯片将能够提供更快的速度,除了用于超级本,还可用于高性能PC。但是用于高性能PC的Haswell芯片耗电量将更高一些。
    为了强调产品体积的轻薄,英特尔超级本此前采用的是体积较轻薄的高分子锂电池。但是,由于高分子锂电池生产技术复杂、耗时。使其总体成本比传统圆柱型18650电池高出1.5~2倍,这也大大推高了超级本的价格。为了进一步降低超级本成本,英特尔正在推进在超级本上采用较低价格的标准化电芯,如16650圆柱型电池。但是无论采用哪种电池,由于轻薄化的设计需要,其超级本的电池容量也无法大幅度提高,因此英特尔只好通过降低耗电量来达到延长电池续航能力的目的。
    据介绍,此前采用Ivy Bridge处理器的超级本电池续航能力一般在6-8小时以内。但是在采用了新的Haswell芯片后,超级本电池的续航能力将超12小时,甚至高达20小时。据悉,配置Haswell芯片的超极本将在明年上市。新的超级本除了续航能力更强外,还设置了无线充电、NFC功能以及语音互动等功能。

相关文章

推荐品类

为您推荐

东莞市钜大电子有限公司 粤ICP备07049936号