硅光电池特性
1.2.1光照特性
不同强度的光照射在光电池上，光电池有不同的短路电流Isc和开路电在Voc，如图1所示。由图1可知短路电流Isc光强Ev特性是一条直线，即短路电流在很宽的光强范围内，与光强成线性关系，而开路电压是非线性的，而且，在当光强较小，约20mW／cm2时，短路电压就趋于饱和。因此，要想用光电池来测量或控制光的强弱，应当用光电池的短路电流特性。
1.2.2硅光电池的光谱特性
如图是硅光电池、硒光电池的光谱特性曲线。显而易见，不同的光电池，光谱曲线峰值的位置不同，例如硅光电池峰值波长在0.8μm左右，硒光电池在0.54μm左右。硅光电池的光谱范围宽，在0.45～1.1μm之间，硒光电池的光谱范围在0.34～0.75μm之间，只对可见光敏感。
值得注意的是，光电池的光谱曲线形状，复盖范围，不仅与光电池的材料有关，还与制造工艺有关，而且还随着环境温度的变化而变化。
1.2.3光电池的温度特性
光电池的温度特性如图3所示。由图可知，开路电压随温度的升高而快速下降，短流电流随温度升高而缓缓新增。所以，用光电池作传感器制作的测量仪器，即使采用IscEv特性，在被测参量恒定不变时，仪器的读数也会随环境温度的变化而漂移，所以，仪器必须采用相应的温度补偿措施。;
硅光电池的结构及工作原理
硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器件，其结构图所示。它实质上是一个大面积的半导体pN结。硅光电池的基体材料为一薄片p型单晶硅，其厚度在0.44mm以下，在它的表面上利用热扩散法生成一层N型受光层，基体和受光层的交接处形成pN结。在N型层受光层上制作有栅状负电极，另外在受光面上还均匀覆盖有抗反射膜，它是一层很薄的天蓝色一氧化硅膜，可以使电池对有效入射光的吸收率达到90%以上，并使硅光电池的短路电流新增25%-30%.
