晶圆和芯片的关系
芯片是由N多个半导体器件组成半导体一般有二极管三极管场效应管小功率电阻电感电容等等。
就是在圆井中使用技术手段改变原子核的自由电子浓度改变原子多子（电子）或少子（空穴）是原子核产生正电荷或负电荷的物理特性构成各种半导体。
硅锗是常用的半导体材料他们的特性及材质是容易大量并且成本低廉使用于上述技术的材料。
一个硅片中就是大量的半导体器件组成当然功能就是按需要将半导体组成电路而存在于硅片内封装后就是IC了集成电路。
一个芯片有多少晶圆
这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。
目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12吋约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12吋晶圆。
国际上Fab厂通用的计算公式：
聪明的读者们一定有发现公式中π*（晶圆直径/2）的平方不就是圆面积的式子吗？再将公式化简的话就会变成：
X就是所谓的晶圆可切割晶片数（dpwdieperwafer）。
那麽要来考考各位的计算能力了育！
假设12吋晶圆每片造价5000美金，那麽NVIDIA最新力作GT200的晶片大小为576平方公厘，在良率50%的情况下，平均每颗成本是多少美金？
答案：USD.87.72
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科普：waferdiechip的区别
我们先从一片完整的晶圆（Wafer）说起：
一块完整的wafer
名词解释：wafer即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。一片载有NandFlash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的NandFlash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不稳定，要不就是部分损坏所以不足容量，要不就是完全损坏。原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。
die和wafer的关系
品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的DowngradeFlashWafer。
筛选后的wafer
这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。
晶圆尺寸发展历史（预估）
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