光电池的工作原理及其特性
1.1光电池的工作原理
在一块N形硅片表面,用扩散的方法掺入一些p型杂质,形成pN结,光这就是一块硅光电池。当照射在pN上时,如光子能量hv大于硅的禁带宽度E时,则价带中的电子跃迁到导带,产生电子空穴对。因为pN结阻挡层的电场方向指向p区,所以,任阻挡层电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激发的空穴移向p区外侧,从而在硅光电池与pN结平行的两外表而形成电势差,p区带正电,为光电池的正极,N区带负电,为光电池的负极。照在pN结上的光强增加,就有更多的空穴流向p区,更多的电子流向N区,从而硅光电池两外侧的电势差增加。如上所述,在光的作用下,产生一定方向一定大小的电动势的现象,叫作光生伏特效应。
1.2硅光电池特性
1.2.1光照特性
不同强度的光照射在光电池上,光电池有不同的短路电流Isc和开路电在Voc,如图1所示。由图1可知短路电流Isc—光强Ev特性是一条直线,即短路电流在很宽的光强范围内,与光强成线性关系,而开路电压是非线性的,而且,在当光强较小,约20mW/cm2时,短路电压就趋于饱和。因此,要想用光电池来测量或控制光的强弱,应当用光电池的短路电流特性。
1.2.2硅光电池的光谱特性:
图2是硅光电池、硒光电池的光谱特性曲线。显而易见,不同的光电池,光谱曲线峰值的位置不同,例如硅光电池峰值波长在0.8μm左右,硒光电池在0.54μm左右。硅光电池的光谱范围宽,在0.45~1.1μm之间,硒光电池的光谱范围在0.34~0.75μm之间,只对可见光敏感。
值得注意的是,光电池的光谱曲线形状,复盖范围,不仅与光电池的材料有关,还与制造工艺有关,而且还随着环境温度的变化而变化。