关于MOSFET驱动电阻的选择

2019-08-20      1017 次浏览

L为pCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。


Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。


Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。


VL+VRg+VCgs=12V


计算式


这是个3阶系统,当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡,有两个相同实根时是临界阻尼震荡,当有虚根时是欠阻尼震荡,此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形,这是我们不希望看到的,因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态,考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。


根据以上得到


计算式


因此根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。


等效驱动电路图


分别考虑20m长m和70mm长的走线:L20=30nH,L70=80nH,则Rg20=8.94Ω,Rg70=17.89Ω,


以下分别是电压电流波形:



相关文章

推荐品类

为您推荐

东莞市钜大电子有限公司 粤ICP备07049936号