太阳能电池的发展新趋势

2019-08-18      1758 次浏览

太阳能电池的发展新趋势


紧紧围绕提高光电转换效率和降低生产成本两大目标的各种新型太阳能电池的研究工作,一直在各发达国家及一些发展中国家积极进行。所谓新型太阳能电池,是指用新材料、新结构和新工艺制造的太阳能电池。目前晶体硅高效太阳能电池和各类薄膜太阳能电池是全球新型太阳能电池研究开发的两大热点和重点。高效单晶硅太阳能电池的光电转换效率已接近25%,高效多晶硅太阳能电池的光电转换效率已超过20%。薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在非晶硅薄膜电池、CdTe系薄膜电池、CIS系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。非晶硅薄膜电池的研发,重点是研究解决电池的光致衰降和提高效率问题。经过努力,已有许多新的突破,实验室的稳定效率已达15%。CdTe系薄膜电池的实验室效率已达到16.4%,CIS系薄膜电池实验室效率已达到19.2%,并且都已建立了效率超过10%的中试规模的生产线。多晶硅薄膜电池的研究工作,自1987年以来发展迅速,目前实验室效率已超过17%,成为引起世界光伏界瞩目的新热点,前景看好。


下面对21世纪前20年期间世界太阳能电池的发展趋势作一简要预测。


高效率低成本晶体硅太阳能电池的研究开发


晶体硅太阳能电池在21世纪的前20年内仍将是居主导地位的光伏器件,在生产和应用总量中占首位,并将向效率更高、成本更低的方向发展。


自1954年实用的太阳能电池问世以来,晶体硅太阳能电池一直在世界光伏市场居统治地位,占太阳能电池总产量的80%~90%。预计这种地位在相当一个时期之内,还将会继续保持。但将硅材料变成适合于制造电池的硅片,要采用大容量的晶体生长装置和价格昂贵的切割设备,并且制造温度高,要消耗相当多的电能,因而目前硅片的生产成本高达1.5美元/W左右。正在研究试验用切薄硅片、扩大平面晶体或采用聚光等方法,力争把硅片的生产成本降低一半左右。预测采用各种新方法和新工艺,在今后5~10a间有望把硅片的生产成本降低到1美元/W左右,并将在15a间进一步降低到接近0.5美元/W。这样,太阳能电池组件的生产成本,就会从目前的约2~2.5美元/W,降低到10~15a后的1美元/W左右。随着光伏市场的不断发展扩大,10a后光伏系统的价格将会降到6美元/W,20a左右可以进一步降低到接近3美元/W,发电成本约为0.1美元/kW.h。如果民生电价在今后20a间翻一番的话,那么民用光伏系统的电价到2020年前后就可达到与常规能源的电价相持平,而进入公共电网。


为实现这样的设想,必须立项目、投资金,积极开展高效率、低成本晶体硅太阳能电池的研究开发工作。


制约晶体硅太阳能电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有:①电池表面栅线遮光影响;②电池表面光反射损失;③光传导损失;④内部复合损失;⑤表面复合损失等。针对这些障碍,近些年来研究开发了许多新技术、新工艺,主要有:①双层减反射膜,②激光或机械刻槽埋藏栅线技术;③绒面技术;④背点接触电极克服技术;⑤高效反射器技术;⑥光吸收技术等。


降低硅材料的生产费用,是降低太阳能电池成本的关键。多晶硅电池的材料成本比单晶硅电池的材料成本低,应作为研究开发的重点。主要研发的问题有:①多晶硅材料制备的新技术;②快速掺杂表面处理技术;③提高硅片质量的新技术、新工艺等。


太阳能电池的短路电流、开路电压和填充因子都达到最大值时,可以得到最高的转换效率。但由于它们相互影响和制约,并受到材料内在质量的影响,同时提高三者是很困难的,一般情况下只能单独改善其中的某一项。提高短路电流可从光吸收和光谱响应两方面努力。在太阳光谱中短波光的能量很大,而常规硅电池的短波响应却很差。为展宽电池光谱响应的峰区,研制了具有浅结、密栅及“死层”薄特征的紫光电池。常规硅电池表面虽有减反射膜,但单层的减反射膜仍对波长有选择性。无反射电池即绒面电池,则由于表面不平整,可多次吸收入射光,并且没有对波长的选择性,因而在较宽波长范围内光能的吸收量增大,进一步提高了短路电流。提高电池的开路电压能提高电池的转换效率,而具有背面场的电池,开路电压、短路电流和填充因子都可得到提高。这些新工艺、新技术已在高效电池中得到应用,并取得了好的效果。当前的目标,是不但要研发新的工艺、新的技术和新的器件结构,而且也要研发向工业生产的转移问题、降低电池和组件的成本问题。


下面对几种高效率,低成本硅太阳能电池的研发情况作一简介。

1.发射极钝化及背面局部扩散太阳能电池?PERL

电池正反两面部进行氧钝化,并采用光刻技术将电池表面的氧化硅层制作成倒金宇塔,如图1所示。两面的金属接触面都进行缩小,其接触点进行了硼与磷的重掺杂。用此法制备的单晶硅电池效率已达24.7%,多晶硅电池效率已达19.8%。




图1PERL太阳能电池


2.埋栅太阳能电池?BCSC


采用激光刻槽或机械刻槽。激光在硅片表面刻出宽度为20μm左右的槽,然后化学镀铜,以形成电电极,如图2所示。它的主要特征是:①随机绒面,降低了表面反射率;②选择性发射极,获得了最佳的光谱响应及最小的接触电阻。③激光刻槽埋栅电极(LGBG),达到了最小的遮光率,高电导率的铜电极。这种电池的批量生产效率已达17%,因此已具有工业化生产的意义。目前我国这种电池的实验室效率为19.55%。




图2BCSC太阳能电池


3.高效背表面反射器太阳能电池?BSR

在这类电池中,太阳能电池的背面和背面接触之间用真空蒸镀的方法沉积一层高反射率的金属表面?一般为铝,能被电池吸收并转换为电能光的波长。对硅电池来说,约为1150nm,比它更长的任何辐射波都容易透过半导体材料进入背表面反射器。电池的厚度越薄,背反射器的作用越明显。所谓背反射器,就是将电池背面做成反射面,它能反射透过电池基体到达背表面的光,从而增加光的利用率?见图3。这样,可增加电池对长波光的吸收,使短路电流增加。并且它还能把到达背面的波长大于电池光谱响应截止波长的红光反射出去,从而降低电池的吸收系数。测试表明,普通硅电池太阳吸收系数αs。为0.781±0.020,而此电池为0.740±0.020。这就减轻了其有害影响,因为这部分光不仅不能产生光生载流子,而且产生热效应,使电池温度升高,导致效率下降。




图3背面反射器太阳能电池和普通硅太阳能电池的

反射率与光波波长的关系


4.高效背表面场和背表面反射器大阳能电池(BSFR)。

它也称为漂移场太阳能电池。此电池是在BSR电池结构的基础上再做一层p+层。这种场有助于光生电子-空穴对的分离和少数载流子的收集。但这种p+场容易受空间高能粒子辐射的影响而发生衰减,比BSR电池抗高能粒子损伤的能力差。其目前的最高效率为14.8%。


5.高效低阻硅太阳能电池?RESC


它是一种用电阻率为0.2Ω·cm和0.3Ω·cm的p型区熔硅制成的电池。其特点是在电池的发射区制备一层钝化层。这种结构的电池,减少了表面密度,抑制了表面复合速度。其扩散结较深,约为0.7μm,在保持较高短路电流密度?39.2mA/cm2的同时,具有相当高的开路电压?670mV和较高的填充因子(82.1%)。该电池在AM1.5、100mW/cm2、25℃±2℃的条件下测试,其转换效率可达21.6%。


各类新型薄膜太阳能电池的研究开发


薄膜太阳能电池由沉积在玻璃、不锈钢、塑料、掏瓷衬底或薄膜上的几微米或几十微米厚的半导体膜构成。由于其半导体层很薄,可大为节省电池材料,降低生产成本,因而是最有前景的新型太阳能电池,已成为当今世界光伏技术研究开发工作的重点项目、热点课题。下面对几种主要薄膜太阳能电池的研发情况作一简介。


1.非晶硅薄膜太阳能电池


非晶硅薄膜电池诞生于1976年,是用非晶硅半导体林料制备的一种薄膜电池。非晶硅半导体材料的最基本特征是组成原子的排列为长程无序、短程有序,原子间的键合类似晶体硅,形成一种共价无规网状结构。这种结构,不是无规理想的网络模型,其中含有一定量的结构缺陷、悬挂键、断键和空洞等。非晶硅电池的工作原理与单晶硅电池类似,都是利用半导体的光生伏打效应实现光电转换。与单晶硅电池不同的是,非晶硅电池光生载流子只有漂移运动而无扩散运动,原因是由于非晶硅结构中的长程无序和无规网络引起的极强散射作用,使载流子的扩散长度很短。如果在光生载流子的产生处或附近没有电场存在,则光生载流子受扩散长度的限制,将会很快复合而不能吸收。为能有效地收集光生载流子,将电池设计成为pin型,其中p层是入射光层,i层是本征吸收层,处在p和n产生的内建电场中。当入射光通过p+层进入i层后,产生电子-空穴对,光生载流子一旦产生后就由内建电场分开,空穴漂移到p+边,电子漂移到n边,形成光生电流和光生电压。



非晶硅薄膜电池可以用玻璃、不锈钢、特种塑料、陶瓷等为衬底(图4为非晶硅薄膜电池结构的示意图)。玻璃衬底的非晶硅电池,光从玻璃面入射,电池的电流从透明导电膜(TCO)和铝电极引出。不锈钢衬底的非晶硅电池与单晶硅电池类似,在透明导电膜上制备梳状银电极,电池的电流从银电极和不锈钢引出。双叠层的结构有两种:一种是两层结构使用相同的非晶硅材料;一种是上层使用非晶硅合金,下层使用非晶硅锗合金,以增加对长波光的吸收;上层使用宽能隙的非晶硅合金做本征层,以吸收蓝光光子;中间层用含锗约15%的中等带隙的非晶硅锗合金,以吸收红光。三叠层的结构与双叠层的结构类似。

非晶硅材料是由气相沉积法形成的。根据离解和沉积方法的不同,可分为辉光放电分解法(GD)、溅射法(Sp)、真空蒸发法、光化学气相沉积法(CVD)和热丝法(HW)等多种。其中等离子增强化学气相沉积法(pECVD)是已被普遍采用的方法,其装置的示意图如图5所示。在pECVD沉积非晶硅的方法中,pECVD的原料气一般采用SiH4和H2,制备叠层电池时用SiH4和GeH4,加入B2H6和pH5可同时实现掺杂。SiH4和GeH4在低温等离子体的作用下分解产生a-Si或a-SiGe薄膜。此法具有低温工艺和大面积薄膜的生产等特点,适合于大规模生产。



一般来说,pin集成型以玻璃为衬底的非晶硅电池的制造工序为:清洗并烘干玻璃衬底——生长TCO膜——激光切割TCO膜——依次生长pin非晶硅膜——激光切割a-Si膜——蒸发溅射AI电极——激光切割AI电极(或掩膜蒸发AI电极)。


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