硅光电池的分类
1、晶体硅光电池
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用p型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为∮10至20cm的圆片，年产量力46MW/a。
2、非晶硅光电池
a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn&TImes;l.0m），成本较低，多采用pin结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层pin等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量持续上升，年产量力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位
3、多晶硅光电池
p－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7［%］，用CVD法制备的转换效率约为12.6l7.3［%］。采用廉价衬底的psi薄膜生长方法有pECVD和热丝法，或对asi：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8［%］和9.2［%］的无退化电池。微晶硅薄膜生长与asi工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％大面积低温psi膜与si组成叠层电池结构，是提高比aS光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能出现突破性进展。铜烟硒光电池CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性用途。
