开关电源MOS管选用方法

2020-05-19      1510 次浏览

MOS管最常见的应用可能是电源中的开关元件,此外,它们对电源输出也大有裨益。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源,以支持N+1冗余与持续工作(图1)。各并行电源平均分担负载,确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。不过,这种架构还要一种方法把并行电源的输出连接在一起,并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端,有一个功率MOS管可以让众电源分担负载,同时各电源又彼此隔离。起这种用途的MOS管被称为"ORing"FET,因为它们本质上是以"OR"逻辑来连接多个电源的输出。


图1:用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管


在ORingFET应用中,MOS管的用途是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时。


相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORingFET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例,在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,ORingFET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。


低RDS(ON)可把BOM及pCB尺寸降至最小


一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来含义导通阻抗;对ORingFET应用来说,RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册含义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但关于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。


若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源,低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中,每个电源常常要多个ORingMOS管并行工作,要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下,设计人员必须并联MOS管,以有效降低RDS(ON)。


需谨记,在DC电路中,并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如,两个并联的2Ω电阻相当于一个1Ω的电阻。因此,一般来说,一个低RDS(ON)值的MOS管,具备大额定电流,就可以让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至最少。


除了RDS(ON)之外,在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下,设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线,该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上,SOA含义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在ORingFET应用中,首要问题是:在"完全导通状态"下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。


若设计是实现热插拔功能,SOA曲线也许更能发挥用途。在这种情况下,MOS管要部分导通工作。SOA曲线含义了不同脉冲期间的电流和电压限值。


注意刚刚提到的额定电流,这也是值得考虑的热参数,因为始终导通的MOS管很容易发热。另外,日渐升高的结温也会导致RDS(ON)的新增。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其含义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的含义是结到管壳的热阻抗。细言之,在实际测量中其代表从器件结(关于一个垂直MOS管,即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗,在数据手册中有描述。若采用powerQFN封装,管壳含义为这个大漏极片的中心。因此,RθJC含义了裸片与封装系统的热效应。RθJA含义了从裸片表面到周围环境的热阻抗,而且一般通过一个脚注来标明与pCB设计的关系,包括镀铜的层数和厚度。


开关电源中的MOS管


现在让我们考虑开关电源应用,以及这种应用如何要从一个不同的角度来审视数据手册。从含义上而言,这种应用要MOS管定期导通和关断。同时,有数十种拓扑可用于开关电源,这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能(图2),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。目前,设计人员常常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。


图2:用于开关电源应用的MOS管对。(DC-DC控制器)


显然,电源设计相当复杂,而且也没有一个简单的公式可用于MOS管的评估。但我们不妨考虑一些关键的参数,以及这些参数为何至关重要。传统上,许多电源设计人员都采用一个综合品质因数(栅极电荷QG×导通阻抗RDS(ON))来评估MOS管或对之进行等级划分。


栅极电荷和导通阻抗之所以重要,是因为二者都对电源的效率有直接的影响。对效率有影响的损耗重要分为两种形式--传导损耗和开关损耗。


栅极电荷是出现开关损耗的重要原因。栅极电荷单位为纳库仑(nc),是MOS管栅极充电放电所需的能量。栅极电荷和导通阻抗RDS(ON)在半导体设计和制造工艺中相互关联,一般来说,器件的栅极电荷值较低,其导通阻抗参数就稍高。开关电源中第二重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。


某些特殊的拓扑也会改变不同MOS管参数的相关品质,例如,可以把传统的同步降压转换器与谐振转换器做比较。谐振转换器只在VDS(漏源电压)或ID(漏极电流)过零时才进行MOS管开关,从而可把开关损耗降至最低。这些技术被成为软开关或零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)技术。由于开关损耗被最小化,RDS(ON)在这类拓扑中显得更加重要。


低输出电容(COSS)值对这两类转换器都大有好处。谐振转换器中的谐振电路重要由变压器的漏电感与COSS决定。此外,在两个MOS管关断的死区时间内,谐振电路必须让COSS完全放电。


低输出电容也有利于传统的降压转换器(有时又称为硬开关转换器),不过原因不同。因为每个硬开关周期存储在输出电容中的能量会丢失,反之在谐振转换器中能量反复循环。因此,低输出电容关于同步降压调节器的低边开关尤其重要。


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