今天给大家说一个很实用的小技能，用万用表去检测MOS管好坏的方法，这里以N沟道增强型场效应管（NMOS管）为例给大家说一下，在之前的文章中提到过MOS管和场效应管的区别，其实场效应管的种类很多，共有6种，其中N沟道增强型场效应管使用频率很高，还是很有必要掌握他的检测方法。
选用管子型号为IRF640，如上图所示，一般在判断好坏的时候先对MOS管放电（三极管就不需要，之所以需要放电是和他的工作原理有关，这里就不多说了），放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极）电位相同，所以，这里放电可以直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了，也可以串接个电阻。
放完电后就可以用万用表去测量了，下面这个图片是我在数据手册上截下来原理图，从原理图中也可以看出来，在D极（漏极）和S极（源极）之间有一个看着像二极管的东西，其实这个就是反向寄生二极管，这个二极管是能够使用万用表的二极管档测出来的。
怎么测呢？可以看下下面两张图的测量结果，当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，这个反向寄生二极管是能够导通的，所以可以测出来这个导通压降，一般在0.5V左右；如果把红表笔放在D极，黑表笔放在S极，这个反向寄生二极管是截止的，所以在万用表上会看到OL字样。
到这我们才测量两个管脚是正常的，还有一个G极，这里需要先对G极充下电，用万用表的二极管档就可以，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极，这个充电过程很快，在万用表上是看不到这个变化过程，所以一直看到OL字样，充完电后再去测量一下D极和S极之间，还是截止的吗？
从下图可以很清楚的看到，这时候D极和S极之间的压降接近于0，换句话说此时的MOS管导通了，从这里也能感受出来MOS管的导通压降是很低的（同样放大倍数的电路，他比用三极管做出来的效率要高，三极管放大状态的导通压降一般大于等于0.3V）。
其实不光D极和S极之间的压降很低，S极和D极之间的导通压降也很低，可以参考下图中的测量结果，从这也可以看出来，MOS管导通后，这个反向寄生二极管消失了，如果此时再次给G极放电，你会发现这个反向寄生二极管又回来了。
这就是正常的N沟道增强型场效应管的测量结果，如果哪一步和文章中所述的不同，那么很可能这个管子坏掉了。
