本文将摘录并使用所要介绍的部件的外围电路。
主要部件的选型：MOSFETQ1
MOSFETQ1是用来驱动变压器一次侧的晶体管，是本设计主题之一的“SiC-MOSFET”。
MOSFET的选型需要考虑最大漏极－源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron的损耗、封装的最大容许损耗等。
低输入电压时，MOSFET的导通时间变长，Ron损耗带来的发热量增加。SiC-MOSFET的特点是Ron低，其传导损耗也小，但请务必在组装在实际pCB板和产品中的状态下进行确认，并在必要时利用散热器等来解决散热问题。
ID的额定值以Ippk×2左右作为大致的选择标准。Ippk在变压器设计的②中已经求出为0.66A。
Vds通过下列公式计算。
Vspike则很难通过计算算出来。所以，根据经验，在添加缓冲电路的前提下，选择Vds为1700V的MOSFET。在这个设计案例中，选择ROHM生产的SiC-MOSFET“SCT2H12NY（1700V、1.15Ω、4A、44W）”或“SCT2H12NZ（1700V、1.15Ω、3.7A、35W）”。
下面以SCT2H12NY为例列出其最大额定值。关于其他参数和其他详细信息，请参考相应的技术规格书。
关键要点：
・MOSFETQ1使用本设计主题之一的“SiC-MOSFET”。
・MOSFET的选型需要考虑最大Vds、峰值电流、导通电阻的损耗、封装的最大容许损耗等。
・以Ippk×2左右作为ID额定值的大致选择标准。
・Vds通过公式来计算。
