imec的研究人员的N型PERT(钝化发射极、背面全扩散)太阳能电池日前实现一个新的创纪录的转换效率,该电池启用Meco的镍/铜/银镀层(三根主栅线电网)技术以及SoLayTec的原子层沉积(ALD)Al2O3工艺。
imec表示,大面积硅片(156mmx156mm)N型PERT太阳能电池在FraunhoferISECalLab校准。
imec光伏部门总监JozefSzlufcik表示:尽管处于早期开发阶段,但是结果显示n型PERT太阳能电池非常高的效率潜力。此外,由于硼氧化合物,n型电池仍不受到存在于p型电池光致降解的影响,从而使得长期能源产量的提高,并因此降低整个每千瓦时成本。
据说该电池已经实现677mV的开路电压(Voc),39.1mA/cm2的短路电流(Jsc)以及81.3%的填充系数,证明随着双面接触晶体硅太阳能电池用于批量商业化生产,具有潜力改进转换效率。
据说N型PERT电池采用一个由硼扩散出现的背面覆盖p+发射极,n+前表面局域上的金属触点借助于Meco的镍/铜/银镀层形成。
据说p+发射极背面局部触点已经由背面钝化堆积和随后铝的物理气相沉积的激光烧蚀出现。背面钝化堆积包括一个薄的(<10nm)ALD基Al2O3层,在其InPassion设备中采用SoLayTec的空间ALD技术。
SoLayTec的联合创始人兼营销和销售经理RogerG?rtzen在接受PV-Tech采访时表示:很好的结论是我们的工业InPassionALD比热湿氧化处理更好。这意味着,ALD设备可以用于下一代电池概念,如PERC技术和用于N型钝化,硬件没有任何改变。
低成本N型硅片的可用性还被视作未来几年主流太阳能电池生产商,预期更广泛地采用基片的一个重要部分。