哈梅林太阳能研究所（ISFH）和汉诺威莱布尼兹大学的电子材料及器件研究所（MBE）已经成功完成CHIP项目。该项目以工业离子注入n型PERT（钝化发射极和背面电池，后共掺杂）太阳能电池来提升电池的转化效率。
在CHIP项目中，植入损伤退火的驱动机制已经通过科学检查，其中特别关注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入机一般不配备大规模分离器，因此，重要是植入BF2，而不是基本的硼。
退火过程处理工艺已经被应用于工业n型PERT电池处理过程当中，处理过程相当精简：156毫米156个毫米大的n型直拉晶片经过双面纹理后，前侧注入硼或BF2，后侧注入磷。注入损伤经过高温退火（共退火），而BF2的使用使得退火所需的温度大大降低。
退火后，前侧是被氧化铝/氮化硅叠层钝化，后侧被氮化硅钝化。接着，在正面和背面进行丝网印刷，然后进行共烧。利用细线印刷技术白银消费量可减少到最低限度。（Tina译）
