三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后，可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。
薄膜硅型太阳能电池的优点有：硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过，对太阳能电池厂商而言，引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题，要通过转变成涂布成膜工艺来大幅降低成本。
据介绍，此次的电极墨，可利用大日本网屏制造(DNS)的涂布装置Linearcoater在1.4m1.1m的大块玻璃上稳定成膜。这有利于削减薄膜硅型太阳能电池的制造成本。
三菱材料将在2011年十一月二十八日～十二月二日于福冈县福冈市举办的21stInternationalPhotovoltaicScienceandEngineeringConference上公布此次的开发成果。另外，大日本网屏制造将在2011年十一月二十八日～十一月三十日于我国上海市举办的PVChina2011上介绍这种墨的涂布工艺。
