浅谈RCD电路的影响

2020-03-26      1165 次浏览

上篇博文重要分析未进行保护的反激电源开关过程分析,这回重要介绍RCD电路的影响。


先分析过程:


对应电路模型:


我们可以定性的分析一下电路参数的选择对电路的暂态响应的影响:


1.RCD电容C偏大


电容端电压上升很慢,因此导致mos管电压上升较慢,导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长,变压器能量传递过程较慢,相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上。


波形分析为:


2.RCD电容C特别大(导致电压无法上升至次级反射电压)


电容电压很小,电压峰值小于次级的反射电压,因此次级不能导通,导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上,因此次级电压下降后达成新的平衡,理论计算无效了,输出电压降低。


3.RCD电阻电容乘积R×C偏小


电压上冲后,电容上储存的能量很小,因此电压很快下降至次级反射电压,电阻将消耗初级励磁电感能量,直至mos管开通后,电阻才缓慢释放电容能量,由于RC较小,因此可能出现震荡,就像没有加RCD电路相同。


4.RCD电阻电容乘积R×C合理,C偏小


假如参数选择合理,mos管开通前,电容上的电压接近次级反射电压,此时电容能量泄放完毕,缺点是此时电压尖峰比较高,电容和mos管应力都很大


5.RCD电阻电容乘积R×C合理,R,C都合适


在上面的情况下,加大电容,可以降低电压峰值,调节电阻后,使mos管开通之前,电容始终在释放能量,与上面的最大不同,还是在于让电容始终存有一定的能量。


以上均为定性分析,实际计算还是单独探讨后整理,要做仿真验证。


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