双MOSFET驱动器控制器使用最少用于LLC拓扑结构的外部元件
pCIM20179号厅342号展位-德国纽伦堡2017年5月16日推动高能效创新的安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出了先进的同步整流（SR）控制器优化用于LLC谐振转换器拓扑结构。FAN6248需用的额外元件最少，提供高能效，简化热管理，提升整体系统可靠性，和简化LLC电源的设计。
FAN6248是用于现代高性能电源单元（pSU）的一个理想方案，这些应用要求在一个小的空间提供高可靠性和能效。典型应用包括服务器和台式电脑、游戏机、大屏LCDTV和OLEDTV、网络、电信和LED照明。
该器件采用先进混合的SR控制法，结合瞬时漏电压检测与以前的开关周期信息。单独的100V额定值检测输入准确地检测到两个SRMOSFET两端的漏源电压，支持次级绕组中的任何不对称或不良耦合。FAN6248采用这种先进的控制法，防止电流反向和避免由于电容电流尖峰误触发SR，提供高度可靠的工作。在控制器内的反击穿控制增强pSU的可靠性和防止同时导通两个SRMOSFET的潜在破坏性。
FAN6248和仅两个外部电阻及MOSFET成就一个支持达800W的简单LLC转换器。尤其在嘈杂的环境中，添加两个电容器进一步增强系统的稳定性。FAN6248在宽范围的功率等级可靠、高效地运行，实现上述谐振工作而不产生电压尖峰。在空载时，FAN6248进入绿色模式和关闭。在轻载条件下，在绿色模式的控制器脉冲提供高能效标准如80pLUS、DoEVI和CoCTIer2所要求的极高能效供电。
内置自适应寄生电感补偿还最大限度地减少由于封装的杂散电感在SRMOSFET的体二极管导通，从而提高pSU能效。该系列有四款器件；电源设计人员能基于开关频率（25kHz至70khz或60kHz至70khz）和与MOSFET有关的杂散电感水平选择最适合他们应用的型号。范围适用于采用TO-220、D2pAK、DpAK或pQFN封装形式的MOSFET。此外，FAN6248的10.5V高栅极驱动输出确保能驱动这些极宽广范围的MOSFET。
