一、SICMOSFET的特性
1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。
2、随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。
3、开通需要门极电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。
4、具有更小的结电容，关断速度较快，关断损耗更小。
5、开关损耗小，可以进行高频开关动作，使得滤波器等无源器件小型化，提高功率密度。
6、开通电压高于高于SI器件，推荐使用Vgs为18V或者20V，虽然开启电压只有2．7V，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通。
7、误触发耐性稍差，需要有源钳位电路或者施加负电压防止其误触发。
图1ST公司SICMOSFET参数
图2ST公司IGBT参数
二、SICMOSFET对驱动的要求
1、触发脉冲有比较快的上升速度和下降速度，脉冲前沿和后沿要陡。
2、驱动回路的阻抗不能太大，开通时快速对栅极电容充电，关断时栅极电容能够快速放电。
3、驱动电路能够提供足够大的驱动电流
4、驱动电路能够提供足够大的驱动电压，减小SICMOSFET的导通损耗。
5、驱动电路采用负压关断，防止误导通，增强其抗干扰能力。
6、驱动电路整个驱动回路寄生电感要小，驱动电路尽量靠近功率管。
7、驱动电路峰值电流Imax要更大，减小米勒平台的持续时间，提高开关速度。
三、SICMOSFET驱动电路设计
对于有IGBT驱动电路设计经验的工程师来说，SICMOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似，可以在原来的驱动电路上进行修改参数进行设计。
驱动电源的设计
SICMOSFET电源的设计，根据其特性，需要有负压关断和相比SIMOSFET较高的驱动电压，一般设计电源为－6V～＋22V，根据不同厂家的不同Datasheet大家选择合适的电源正负电压的设计，这里只给出一个笼统的设计范围。可以将IGBT模块驱动电源进行稍微修改使用在这里，比如，特斯拉在分立IGBT和SICIGBT上都是用反激电源，具体电路参考历史文章中对特斯拉ModelS与Model3的硬件对比分析中，也可以使用电源模块，比如国内做的比较好的金升阳的电源模块，可以降低设计难度，但成本也会相应的升高。
驱动电路的设计
驱动芯片，英飞凌和ST都有相应的驱动芯片，并且原来英飞凌用于IGBT驱动的1ED系列和2ED系列都可以用在SICMOSFET的驱动电路，如下图所示，英飞凌对SICMOSFET驱动IC的介绍，具体的参数朋友们可以参考英飞凌的Datasheet（注：不是在为谁打广告，因为经常用英飞凌的产品，比较熟悉就拿出来对比）。
ST也有相应的门极驱动芯片，如Model3上使用的STGAp1AS，具体的规格书大家可以参阅ST官网的Datasheet，或者回复本文题目：SICMOSFET驱动电路设计概述，将会得到相应的Datasheet。
图3英飞凌驱动IC宣传页
图4ST驱动IC宣传页
