东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R

2020-02-10      926 次浏览

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFETSSM6N813R,该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。.



100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用,高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造,使用TSOp6F封装,具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外,TSOp6F的封装尺寸比SOp8封装小70%。


应用场合

汽车LED前照灯驱动器

特点

小型封装

高静电保护等级

低RDS(ON)

主要规格



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