引言基于开路电压(OCV)的电量计DS2786在出厂时将默认的OCV特性和默认配置加载到EEpROM中。为了提高OCV电量计的精度并使DS2786适应特定的应用场合，必要时需对DS2796的EEpROM进行再编程。本文描述了如何对EEpROM进行编程及如何对已经安装好的电路板进行测试。板极测试下文给出了一个安装电池包之前测试基于DS2786OCV电路板的例子。图1为电路板的电路原理图，用到了DS2786的所有功能。图中所有重要的测试点(共7个)都用带圈数字标出。测试流程假定电路中的所有分立元件已经过测试，因此，测试目的为确认线路连接，从而验证安装的电路板是否正确。
图1.必须验证的电路节点测试步骤1：测试初始化。该步骤的目的是确定电路板中是否存在直接短路，是否能进行通信。器件成功通信后可以读取电压寄存器读数，以验证SDA和SCL连接(节点1)、pack+和VDD引脚之间的连接(节点2)，以及pack-和VSS引脚(节点3)之间的连接是否正确。此外，通过读取电压寄存器并确认测试是否有效，可以验证VIN引脚(节点4)连接是否正确。pack+与pack-间接4.0V电源。等待880ms。等待电压转换。读电压寄存器：2字节。若未发生通信表明电路安装失败。若电压读数不正确表明电路安装失败。测试步骤2：验证SNS(节点5)。通过有效的电流测试可验证SNS引脚连接是否正确。pack+与pack-间接4.0V电源。pack-与系统VSS间电流为1.0A。等待880ms。等待电流转换读电流寄存器：2字节。若电流读数不准确表明电路安装失败。测试步骤3：验证辅助输入AIN0和AIN1连接(节点6)。通过有效的电阻测量可验证AIN0和AIN1引脚连接是否正确。这一步是可选的。在packID端与pack-间接10kΩ电阻。在Therm端与pack-间接10kΩ电阻。pack+与pack-间接4.0V电源。等待880ms。等待辅助输入转换。读AIN0和AIN1：4字节。若AIN0/AIN1读数不准确表明电路安装失败。测试步骤4：验证VpROG并对EEpROM编程(节点8)。需要提供一个测试点用于连接编程电压至VpROG引脚，以对DS2786的EEpROM进行编程。通过写EEpROM和复制EEpROM可以验证该连接是否正确，并验证EEpROM是否已更新。EEpROM中包括了电流失调偏置寄存器(CObr)，因此在编程EEpROM之前校准CObr是有益的。pack+与pack-间接4.0V电源。校准CObr。若希望进行CObr校准，可以参看下文的详细说明。写参数EEpROM区：32字节。将参数复制到EEpROM。等待14ms。等待复制EEpROM。向参数EEpROM区写0xFFh：31字节非存储器地址0x7Dh)*。从EEpROM中调用参数。读参数EEpROM区：32字节。如果从EEpROM中读取到的32个字节都无法与原先写入的32字节相匹配，说明电路安装失败。不要向存储器地址7Dh写入0xFFh，否则从地址将变化并且器件将停止响应当前从地址。电流失调偏置寄存器的校准通过电流失调偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV间调节DS2786电流测量结果，步长为25μV。CObr的出厂默认值为0x00h。以下例子列出了校准DS2786电流失调偏置寄存器的步骤：给DS2786加电，确保检测电阻中无电流。向CObr中写0x00h(存储器地址0x60h)。等待880ms，直至下一个转换周期到来。读电流寄存器。根据实际需要，多次重复步骤3和步骤4，直至获得平均电流读数。将平均电流读数的相应值写入CObr。将CObr值复制到EEpROM(该步骤应与将所有值复制到EEpROM结合起来共同进行)。总结要对组装好的基于OCV电量计DS2786进行正确验证，需要测试电路中的每一个焊点。测试步骤1、2和3可以合为一个步骤以缩短测试时间，尤其是可以缩短转换延迟时间。此外，测试期间对EEpROM编程可以提供更有效的测试流程，同时可以提供足够的时间施加保存参数(包括电流失调偏置)至EEpROM所需的编程电压。
